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高端芯片制造存在“小院高墙”吗——理论解析与中国突破路径模拟
| 摘要： | 近年来，中国高端芯片制造遭遇的严重“卡脖子”问题已成为影响产业链自主安全乃至国家经济安全的突出短板。有别于现有研究多将中国高端芯片制造难以实现突破归因于技术能力不足或地缘政治阻碍，本文论证了根植于现有企业市场势力的产业组织因素同样对潜在进入者构成了很高的壁垒。本文发现，当前高端芯片制造市场的主要参与者ASML、三星、台积电、英特尔之间建立了较为紧密的“1+3”研发合作联盟，由此抬高了技术和资本双密集行业的进入壁垒，引致高端芯片制造环节表现出“小院高墙”式的组织结构特征。通过构建嵌入异质性研发合作的网络博弈模型发现，在高端芯片制造“小院”中存在“上游研发合作，下游产品竞争”的独特竞争范式，即主要市场主体既具备寡占地位，彼此之间又开展激烈的竞争，并因深度捆绑的研发合作关系形成了较为稳定的市场均衡。潜在进入者若试图在这一市场上“分一杯羹”，就会影响现有企业的均衡利润，必然会遭到联合抵制，即产生“高墙”效应，这也是包括中国企业在内的市场主体进入该领域面临的难以克服的制约因素之一。进一步，本文采用多情景数值模拟和稳健性检验，设计了中国突破“小院高墙”封锁可能选择的路径，以及与在位市场主体开展“合纵连横”、逐步融入产业生态的市场策略。本文的政策启示是，把中国企业突破高端芯片制造“卡脖子”短板的路径扩展到市场主体的经济利益实现与分配上，为改进现行集成电路产业政策提供了基于产业组织理论的学理性思考和新的视角。 |
| 作者： | 渠慎宁，杨丹辉，兰明昊 |
| 期刊： | 中国工业经济 |
| 年.期:页码 | 2023.6:62-80 |
| 关键词： | 集成电路； 芯片制造； 小院高墙； 进入壁垒； 突破路径 |
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